ZY1 ... ZY200 (2 W)
ZY1 ... ZY200 (2 W)
Silicon-Power-Zener Diodes (non-planar technology)
Silizium-Leistungs-Zener-Dioden (flächendiffundierte Dioden)
Version 2013-01-21
Dimensions - Maße [mm]
Maximum power dissipation
Maximale Verlustleistung
2 W
Nominal Z-voltage
Nominale Z-Spannung
1...200 V
Plastic case – Kunststoffgehäuse ~DO-41
~DO-204AC
Weight approx. – Gewicht ca. 0.4 g
Marking: “Z“ plus Zenervoltage
Stempelung: „Z“ plus Zenerspannung
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pak
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~ ±5%) standard.
Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.
Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der internationalen
Reihe E 24 (~ ±5%). Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf Anfrage.
Maximum ratings and Characteristics Grenz- und Kennwerte
ZY-series
Power dissipation
Verlustleistung
TA = 50°C Ptot 2 W 1)
Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms
TA = 25°C PZSM 60 W
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+175°C
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA < 45 K/W 1)
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
RthL < 15 K/W
Zener voltages see table on next page – Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nächsten Seite
23
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen
3 The ZY1 is a diode operated in forward mode. Hence, the index of all parameters should be “F” instead of “Z”.
The cathode, indicated by a white band, has to be connected to the negative pole.
Die ZY1 ist eine in Durchlass betriebene Si-Diode. Daher ist bei allen Kenn- und Grenzwerten der Index
“F” anstatt “Z” zu setzen. Die mit weißem Balken gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu verbinden.
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Type
Ø 0.77
±0.07
Ø 2.6
0.1±
62.5
+0.5
5.1
-0.1
-4.5
ZY1 ... ZY200 (2 W)
Maximum ratings and Characteristics
(TA = 25°C unless otherwise specified)
Grenz- und Kennwerte
(TA = 25°C wenn nicht anders spezifiziert)
Type
Typ
Zener voltage 2)
Zener-Spannung 2)
IZ = IZtest
Test current
Meßstrom
Dynamic resistance
Diff. Widerstand
IZtest / f = 1 kHz
Temp. Coeffic.
of Z-voltage
…der Z-Spannung
Reverse volt.
Sperrspanng.
IR = 1 μA
Z-current 1)
Z-Strom 1)
TA = 50°C
Vzmin [V] Vzmax [V] IZtest [mA] rzj [Ω] αVZ [10-4 /°C] VR [V] IZmax [mA]
ZY13)
0.71
0.82
100
0.5 (<1)
–26…–16
–
ZY5.6
5.2
6.0
100
1 (<3)
–3…+5
> 0.5 / 3 µA
ZY6.2
5.8
6.6
100
1 (<2)
–1…+6
> 1.5
ZY6.8
6.4
7.2
100
1 (<2)
0…+7
> 2
ZY7.5
7.0
7.9
100
1 (<2)
0…+7
> 2
ZY8.2
7.7
8.7
100
1 (<2)
+3…+8
> 3.5
ZY9.1
8.5
9.6
50
2 (<4)
+3…+8
> 3.5
ZY10
9.4
10.6
50
2 (<4)
+5…+9
> 5
ZY11
10.4
11.6
50
4 (<7)
+5…+10
> 5
ZY12
11.4
12.7
50
4 (<7)
+5…+10
> 7
ZY13
12.4
14.1
50
5 (<10)
+5…+10
> 7
ZY15
13.8
15.6
50
5 (<10)
+5…+10
> 10
ZY16
15.3
17.1
25
6 (<15)
+6…+11
> 10
ZY18
16.8
19.1
25
6 (<15)
+6…+11
> 10
ZY20
18.8
21.2
25
6 (<15)
+6…+11
> 10
ZY22
20.8
23.3
25
6 (<15)
+6…+11
> 12
ZY24
22.8
25.6
25
7 (<15)
+6…+11
> 12
ZY27
25.1
28.9
25
7 (<15)
+6…+11
> 14
ZY30
28
32
25
8 (<15)
+6…+11
> 14
ZY33
31
35
25
8 (<15)
+6…+11
> 17
ZY36
34
38
10
16 (<40)
+6…+11
> 17
ZY39
37
41
10
20 (<40)
+6…+11
> 20
ZY43
40
46
10
24 (<45)
+7…+12
> 20
ZY47
44
50
10
24 (<45)
+7…+12
> 24
ZY51
48
54
10
25 (<60)
+7…+12
> 24
ZY56
52
60
10
25 (<60)
+7…+12
> 28
ZY62
58
66
10
25 (<80)
+8…+13
> 28
ZY68
64
72
10
25 (<80)
+8…+13
> 34
ZY75
70
79
10
30 (<100)
+8…+13
> 34
ZY82
77
88
10
30 (<100)
+8…+13
> 41
ZY91
85
96
5
40 (<200)
+9…+13
> 41
ZY100
94
106
5
60 (<200)
+9…+13
> 50
ZY110
104
116
5
80 (<250)
+9…+13
> 50
ZY120
114
127
5
80 (<250)
+9…+13
> 60
ZY130
124
141
5
90 (<300)
+9…+13
> 60
ZY150
138
156
5
100 (<300)
+9…+13
> 75
ZY160
153
171
5
110 (<350)
+9…+13
> 75
ZY180
168
191
5
120 (<350)
+9…+13
> 90
ZY200
188
212
5
150 (<350)
+9…+13
> 90
1 Notes see previous page – Fußnoten siehe vorhergehende Seite
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
ZY1 ... ZY200 (2 W)
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 3
120
100
80
60
40
20
0
[%]
P
tot
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
1
1
[°C]
T
A
150100
50
0
10
10
1
10
10
2
-1
-2
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
0.4 V
F
0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
T = 25°C
j
T = 125°C
j
30a-(1a-1.1v)
[pF]
[V]
C
j
V
Z
T = 25°C
f = 1.0 MHz
j
V = 0V
R
V = 4V
R
V = 20V
R
V = 40V
R
Junction capacitance vs. zener voltage (typical)
Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Zenerspg. (typ.)
0 2 3 4 5 678 10
[V]
V
Z
[mA]
50
150
0
100
I
Z
Typical breakdown characteristic
Typische Abbruchspannung
– tested with pulses
– gemessen mit Impulsen
5,6
6,2
6,8
7,5
8,2
9,1
I
ZT
IZmax
1
T = 25°C
j
I = 5 mA
Z
Typ. thermal resistance vs lead length
Typ. therm. Widerst. in Abh. der Anschlusslänge
50
50
40
30
20
10
0
R
thL
[K/W]
[mm]
L 128
4
0
L
10 18 24
30 36 43 51
62
56
68 75 82 91 100
T = 25°C
jI
ZT
IZmax
Typical breakdown characteristic
Typische Abbruchspannung
– tested with pulses
– gemessen mit Impulsen